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工业废水处理中含硅废水造成膜污堵原因以及常用除硅工艺
阅读量:436 发表时间:2024-02-29

一、含硅废水中二氧化硅(硅)造成膜污堵原因包括:

结垢形成: 二氧化硅在水中可以形成硅酸盐,特别是在高硅含量的水源中。当水通过膜过滤时,硅酸盐可能会沉积在膜表面或孔隙中,逐渐形成结垢。这些沉积物会导致膜的有效孔径减小,降低水通量,最终造成膜的污堵。

结晶形成:在一些情况下,硅可以以晶体形式沉积在膜表面上。这些硅晶体会形成物理性的屏障,阻碍水的透过,并促进其他污染物质的附着和沉积,加剧膜的污堵。

氧化还原作用:硅可以参与氧化还原反应,特别是在存在氧气和其他氧化剂的情况下。这些氧化还原反应可能导致硅在膜表面形成氧化物或水合物,进一步增加膜的污染和降低水通量。

反应活性:二氧化硅本身具有一定的化学反应活性,它可以与水中的其他成分发生化学反应,形成新的化合物。这些新化合物可能会附着在膜表面上,导致膜污堵。

二、工业废水处理中主要除硅方法

工业废水处理中除去硅的方法取决于硅的形态、浓度以及废水的性质。以下是一些常见的除去硅的方法:

沉淀法:沉淀法是通过加入适当的沉淀剂,使硅以固体沉淀的形式从废水中去除。常用的沉淀剂包括氢氧化金属、氢氧化钙等。

过滤法:过滤法是将废水通过过滤介质,如砂滤或活性炭,去除悬浮的硅颗粒。

离子交换法: 离子交换树脂可以用来去除废水中的硅离子。硅离子在离子交换树脂上被吸附,从而使废水中的硅浓度降低。

生物处理法:生物处理过程中的生物活性污泥可能会吸附和降解废水中的一些有机硅化合物。

三、苏州无为环境科技有限公司电絮凝技术对含二氧化硅及其他含硅废水均具有很好的除硅作用,其主要原理:

电解过程:在金属极板电絮凝技术中,通过施加电流,在阳极产生氧气,而在阴极产生氢气。这种电解过程使废水中的硅离子和其他溶解物质发生电化学反应,促使其聚集成为颗粒,并沉积到废水底部。

气泡形成:在电解过程中,产生的气泡可以提供表面活性,促进颗粒的聚集和沉降。气泡的存在增加了废水中的气-液界面,促进了絮凝物质的聚集和沉淀。

金属离子的释放:在金属极板电絮凝过程中,金属极板会释放出金属离子,这些金属离子可以与废水中的硅离子和其他颗粒物质发生化学反应,形成不溶性的沉淀物。这些沉淀物质会与废水中的硅结合,并一同沉淀下来。

pH值控制:硅在不同的pH条件下存在不同的形态,例如在较低的pH条件下,硅以硅酸盐的形式存在,而在较高的pH条件下,硅以多聚硅酸盐的形式存在。通过调节电絮凝系统的pH值,可以优化硅的去除效果。

电流密度和时间:电絮凝过程中的电流密度和处理时间也会影响硅的去除效果。合适的电流密度和处理时间可以提高絮凝效率和去除效果。

水质特性:废水的水质特性也会影响电絮凝的效果,例如废水中的其他成分和溶解物质可能会影响絮凝剂的作用效果。

絮凝剂的作用:通常在金属极板电絮凝过程中,也会添加絮凝剂来促进颗粒的聚集和沉淀。絮凝剂能够改变废水中颗粒的表面电荷特性,使其更易于相互吸引并聚集成较大的絮凝体。

苏州无为环境科技有限公司专注电絮凝技术多年,在工业废水处理技术中的除硅、破乳、脱色、胶体脱稳等技术领域均能发挥出优异效果。

综上所述,电絮凝技术通过电解过程、气泡的形成、金属离子的释放以及絮凝剂的作用等多种机制相结合,促使水中的硅离子和颗粒物质聚集沉淀,从而实现硅的有效去除。这种技术对于处理含硅废水具有较好的效果,并在工业废水处理中得到广泛应用。

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2021-01-04